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K7A403200M-QC16

更新时间： 2024-11-15 19:43:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	402K
描述
Standard SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100

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K7A403200M-QC16 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	3.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	32	湿度敏感等级：	3
端子数量：	100	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.425 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

K7A403200M-QC16 数据手册

K7A403200M

128Kx32 Synchronous SRAM

Document Title

128Kx32-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM

Revision History

Rev.No.

History

Draft Date

Remark

1.0

2.0

Initial draft

May . 19. 1998

June . 02. 1998

Final

change tCYC from 8.5ns to 10.0ns.

Modify Rev No. from 0.0 to 1.0.

3.0

Modify DC characteristics( Input Leakage Current test Conditions)

form VDD=VSS to VDD to Max.

June. 08. 1998

Final

4.0

5.0

Add VDDQ Supply voltage( 2.5V )

Dec. 02. 1998

Feb. 10. 1999

Final

Remove 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

February 1999

Rev 5.0

12 3 4 5 6 7...15

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