是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 3.1 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5V |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e6 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 37748736 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最小待机电流: | 2.38 V |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7A323630C-PC20T | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 | |
K7A323630C-PI20 | SAMSUNG |
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1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM | |
K7A323630C-PI200 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 | |
K7A323630C-PI20T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100 | |
K7A323630C-QC20 | SAMSUNG |
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1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM | |
K7A323630C-QC200 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7A323630C-QC20T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100 | |
K7A323630C-QI20 | SAMSUNG |
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1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM | |
K7A323630C-QI200 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7A323630C-QI20T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100 |