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K7A323630C-PI200

更新时间： 2024-11-01 15:39:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	424K
描述
Cache SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

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K7A323630C-PI200 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	3.1 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5V
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7A323630C-PI200 数据手册

Preliminary

K7A323630C

K7A321830C

1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM

36Mb Sync. Pipelined Burst SRAM

Specification

100TQFP with Pb / Pb-Free

(RoHS compliant)

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 0.2 April 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7A323630C-PI20T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100
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K7A323630C-QC200	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A323630C-QC20T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100
K7A323630C-QI20	SAMSUNG	获取价格	1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM
K7A323630C-QI200	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
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