Datasheet > K7A401800B-PC160

K7A401800B-PC160

更新时间： 2024-11-01 15:36:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	460K
描述
Cache SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7A401800B-PC160 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.05 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7A401800B-PC160 数据手册

K7A403600B

K7A403200B

K7A401800B

128Kx36/x32 & 256Kx18 Synchronous SRAM

4Mb Sync. Pipelined Burst SRAM

Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 2.0 July 2006

- 1 -

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

与K7A401800B-PC160相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7A401800B-PC16T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7A401800B-PI160	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
K7A401800B-PI16T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7A401800B-QC	SAMSUNG	获取价格	128Kx36/x32 & 256Kx18 Synchronous SRAM
K7A401800B-QC140	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, LEAD FREE, TQFP-100
K7A401800B-QC16	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7A401800B-QC16T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7A401800B-QI14	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A401800B-QI14T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100
K7A401800B-QI16	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

与K7A401800B-PC160相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7A401800B-PC160

K7A401800B-PC160 技术参数

K7A401800B-PC160 数据手册

与K7A401800B-PC160相关器件

与K7A401800B-PC160相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7A401800B-PC160

K7A401800B-PC160 技术参数

K7A401800B-PC160 数据手册

与K7A401800B-PC160相关器件

与K7A401800B-PC160相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？