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K7A401800B-QI16

更新时间： 2024-11-01 13:22:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 471K
描述
Cache SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7A401800B-QI16 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：LQFP, QFP100,.63X.87
针数：100Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92最长访问时间：3.5 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：167 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：18功能数量：1
端子数量：100字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装等效代码：QFP100,.63X.87封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.05 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

K7A401800B-QI16 数据手册

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K7A403600B  
K7A403200B  
K7A401800B  
128Kx36/x32 & 256Kx18 Synchronous SRAM  
Document Title  
128Kx36 & 128Kx32 & 256Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM  
Revision History  
Remark  
Rev. No  
History  
Draft Date  
Preliminary  
Preliminary  
0.0  
0.1  
1. Initial draft  
May. 15. 2001  
June. 12. 2001  
1. Changed DC parameters  
Icc ; from 350mA to 290mA at -16,  
from 330mA to 270mA at -15,  
from 300mA to 250mA at -14,  
ISB1 ; from 100mA to 80mA  
Preliminary  
Preliminary  
Final  
0.2  
0.3  
1.0  
1. Delete Pass-Through  
June.25. 2001  
Aug. 11. 2001  
Nov. 15. 2001  
1. Add x32 org. and industrial temperature  
1. Final spec release  
2. Changed Pin Capacitance  
- Cin ; from 5pF to 4pF  
- Cout ; from 7pF to 6pF  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
Nov 2001  
Rev 1.0  
1234567...18

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与K7A401800B-QI16相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7A401800B-QI160 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A401800M SAMSUNG

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 		256Kx18 Synchronous SRAM
K7A401800M-QC11 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100
K7A401800M-QC11T SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100
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K7A401800M-QC16 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7A401800M-QC160 SAMSUNG

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