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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1, TSSOP32,.56,20 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.85 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 85 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP32,.56,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T4008V1C-YB85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
|
| K6T4008V1C-YF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T4008V1C-YF70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, |
|
| K6T4008V1C-YF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
|
| K6T4016C3B | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
| K6T4016C3B-B | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
| K6T4016C3B-F | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
| K6T4016C3B-RB55 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
| K6T4016C3B-RB550 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
|
| K6T4016C3B-RB55T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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