是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TSOP, TSOP44,.46,32 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.88 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 端子数量: | 44 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 反向引出线: | YES |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.13 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6T4016C3B-TB55 | SAMSUNG |
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256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6T4016C3B-TB550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K6T4016C3B-TB70 | SAMSUNG |
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256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6T4016C3B-TB700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K6T4016C3B-TB70T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
K6T4016C3B-TF10 | SAMSUNG |
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256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6T4016C3B-TF100 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K6T4016C3B-TF10T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | |
K6T4016C3B-TF55 | SAMSUNG |
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256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6T4016C3B-TF70 | SAMSUNG |
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256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |