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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 100 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.41 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T4016C3B-TF100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| K6T4016C3B-TF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 |
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| K6T4016C3B-TF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| K6T4016C3B-TF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| K6T4016C3B-TF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| K6T4016C3B-TF70T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| K6T4016C3C | SAMSUNG |
获取价格 |
CMOS SRAM |
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| K6T4016C3C-RB55 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
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| K6T4016C3C-RB70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
|
| K6T4016C3C-RB700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
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