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K6L0908V2A-YF100

更新时间： 2024-01-26 10:39:54

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	193K
描述
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32

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K6L0908V2A-YF100 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSSOP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	长度：	11.8 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

K6L0908V2A-YF100 数据手册

K6L0908V2A, K6L0908U2A Family

CMOS SRAM

Document Title

64Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Data

Remark

0.0

0.1

Design target

January 17, 1996

April 15, 1996

Advance

Initial draft

Preliminary

- One datasheet for commercial, extended and industrial product.

- Add 85ns part on KM68V512AFamily.

1.0

2.0

Finalize

June 17, 1996

Final

Revise

September 10, 1996

- Add 32-sTSOP type package on product.

3.0

Revise

February 12, 1998

Final

- Change datasheet format

- Improve power dissipation 0.7 to 1.0W

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 3.0

February 1998

12 3 4 5 6 7...10

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