是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | TSOP1-R, TSSOP32,.56,20 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 85 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1-R |
封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6L1008U2C-NF85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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K6L1008U2C-RB85T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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K6L1008U2C-RD85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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K6L1008U2C-RF10 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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K6L1008U2C-RF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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K6L1008U2C-RF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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K6L1008U2C-RF85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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K6L1008U2C-TB10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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K6L1008U2C-TB10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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K6L1008U2C-TB85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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