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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP32,.56,20 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 85 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP32,.56,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 反向引出线： | YES |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.035 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6L1008U2C-RB85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6L1008U2C-RD85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6L1008U2C-RF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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| K6L1008U2C-RF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6L1008U2C-RF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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| K6L1008U2C-RF85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6L1008U2C-TB10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| K6L1008U2C-TB10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6L1008U2C-TB85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| K6L1008U2C-TF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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