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K6F4016U6G-AF70

更新时间： 2024-01-25 20:58:05

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	163K
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48

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K6F4016U6G-AF70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA48,6X8,30	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e3	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	1	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000003 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.022 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K6F4016U6G-AF70 数据手册

K6F4016U6G Family

CMOS SRAM

4Mb(256K x 16 bit) Low Power SRAM

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Revision 2.0

September 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6F4016U6G-AF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-48
K6F4016U6G-AF70T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48
K6F4016U6G-EF55	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48
K6F4016U6G-EF70	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48
K6F4016U6G-EF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48
K6F4016U6G-EF70T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48
K6F4016U6G-F	SAMSUNG	获取价格	256Kx16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F8008R2B-EF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48
K6F8008R2M-FF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F8008R2M-FF850	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 85ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

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