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K6F2016R4G-FF700

更新时间： 2024-09-30 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	160K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

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K6F2016R4G-FF700 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	7 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

K6F2016R4G-FF700 数据手册

Preliminary

K6F2016R4G Family

CMOS SRAM

2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM

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Revision 0.0

April 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6F2016R4G-FF85	SAMSUNG	获取价格	2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM
K6F2016R4G-FF850	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 80ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F2016R4G-XF70	SAMSUNG	获取价格	2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM
K6F2016R4G-XF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-48
K6F2016R4G-XF85	SAMSUNG	获取价格	2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM
K6F2016S3M-TC12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-TC15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-TI12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-TI15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-ZI15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 150ns, CMOS, PBGA48, 6.20 X 13.75 MM, 0.75 MM PITCH, MICRO, BGA-48

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