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K4T51083QC-ZLD5

更新时间： 2024-11-26 22:23:55

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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512Mb C-die DDR2 SDRAM

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K4T51083QC-ZLD5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	266 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e3	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：	-5 °C
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.18 A	子类别：	DRAMs
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4T51083QC-ZLD5 数据手册

DDR2 SDRAM

512Mb C-die DDR2 SDRAM

512Mb C-die DDR2 SDRAM Specification

Version 1.4

August 2005

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

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defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

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Rev. 1.4 Aug. 2005

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K4T51083QC-ZLD5T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QC-ZLD60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51083QC-ZLE6	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51083QC-ZLE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51083QC-ZLE6T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
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