Datasheet > K4T51083QE-ZLF7

K4T51083QE-ZLF7

更新时间： 2024-11-19 14:42:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
45页	946K
描述
DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4T51083QE-ZLF7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e3	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.215 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4T51083QE-ZLF7 数据手册

K4T51043QE

K4T51083QE

K4T51163QE

DDR2 SDRAM

512Mb E-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.8 July 2007

1 of 45

12 3 4 5 6 7...45

中文翻译

下载PDF

与K4T51083QE-ZLF7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T51083QE-ZLF7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QG	SAMSUNG	获取价格	Consumer Memory
K4T51083QG-HCCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60,
K4T51083QG-HCCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QG-HCD5	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60,
K4T51083QG-HCD50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51083QG-HCE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QG-HCE6T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60,
K4T51083QG-HCE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60,
K4T51083QG-HCE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60

与K4T51083QE-ZLF7相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

22
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

14
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

44
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

43

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T51083QE-ZLF7

K4T51083QE-ZLF7 技术参数

K4T51083QE-ZLF7 数据手册

与K4T51083QE-ZLF7相关器件

与K4T51083QE-ZLF7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T51083QE-ZLF7

K4T51083QE-ZLF7 技术参数

K4T51083QE-ZLF7 数据手册

与K4T51083QE-ZLF7相关器件

与K4T51083QE-ZLF7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？