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K4T51083QE-ZLE6T

更新时间： 2024-11-19 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
47页	1017K
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DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60

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K4T51083QE-ZLE6T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e3
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA60,9X11,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4T51083QE-ZLE6T 数据手册

K4T51043QE

K4T51083QE

K4T51163QE

DDR2 SDRAM

512Mb E-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Lead-Free

(RoHS compliant)

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.9 July 2008

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K4T51083QE-ZLE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QE-ZLF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QE-ZLF7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QG	SAMSUNG	获取价格	Consumer Memory
K4T51083QG-HCCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60,
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