是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FBGA, BGA60,9X11,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 0.4 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
端子数量: | 60 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 最高工作温度: | 95 °C |
最低工作温度: | -5 °C | 组织: | 64MX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA60,9X11,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
连续突发长度: | 4,8 | 子类别: | DRAMs |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4T51083QC-ZLF7T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 | |
K4T51083QE | SAMSUNG |
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512Mb E-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T51083QE-ZCCC0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T51083QE-ZCD50 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T51083QE-ZCE60 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T51083QE-ZCE70 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T51083QE-ZCE7T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 | |
K4T51083QE-ZCF70 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T51083QE-ZCF7T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 | |
K4T51083QE-ZLCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |