Datasheet > K4T51083QC-ZLE70

K4T51083QC-ZLE70

更新时间： 2024-11-07 15:42:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	652K
描述
DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4T51083QC-ZLE70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.72	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	11 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：	-5 °C	组织：	64MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X11,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

K4T51083QC-ZLE70 数据手册

K4T51043QC

K4T51083QC

K4T51163QC

512Mb DDR2 SDRAM

512Mb C-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

1 of 29

Rev. 1.9 March 2007

12 3 4 5 6 7...28

中文翻译

下载PDF

与K4T51083QC-ZLE70相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T51083QC-ZLF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QC-ZLF7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QE	SAMSUNG	获取价格	512Mb E-die DDR2 SDRAM Specification
K4T51083QE-ZCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51083QE-ZCD50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51083QE-ZCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51083QE-ZCE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51083QE-ZCE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QE-ZCF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51083QE-ZCF7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60

与K4T51083QC-ZLE70相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

19
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

16
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

39
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T51083QC-ZLE70

K4T51083QC-ZLE70 技术参数

K4T51083QC-ZLE70 数据手册

与K4T51083QC-ZLE70相关器件

与K4T51083QC-ZLE70相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T51083QC-ZLE70

K4T51083QC-ZLE70 技术参数

K4T51083QC-ZLE70 数据手册

与K4T51083QC-ZLE70相关器件

与K4T51083QC-ZLE70相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？