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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FBGA, BGA60,9X11,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 0.4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 400 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| JESD-609代码： | e1 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 最高工作温度： | 95 °C | 最低工作温度： | -5 °C |
| 组织： | 64MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA60,9X11,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 4,8 |
| 最大待机电流： | 0.255 A | 子类别： | DRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T51083QC-ZCE7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 |
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| K4T51083QC-ZCF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 |
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| K4T51083QC-ZCF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| K4T51083QC-ZCLCC | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb C-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51083QC-ZCLD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb C-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51083QC-ZCLD6 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb C-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51083QC-ZCLE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb C-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51083QC-ZLCC | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb C-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51083QC-ZLCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| K4T51083QC-ZLCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60 |
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