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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.75 |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.135 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S640832K | SAMSUNG |
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64Mb K-die SDRAM Specification |
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| K4S640832K_07 | SAMSUNG |
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SDRAM Product Guide |
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| K4S640832K-T(U)C/L75 | SAMSUNG |
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64Mb K-die SDRAM |
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| K4S640832K-TC750 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S640832K-TL750 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S640832K-TL75T | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S640832K-TUC/L75 | SAMSUNG |
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64Mb K-die SDRAM |
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| K4S640832K-UC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S640832K-UC750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPL |
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| K4S640832K-UC75T | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPL |
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