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K4S640832K-TC750

更新时间： 2024-11-09 14:42:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	327K
描述
Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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K4S640832K-TC750 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.3	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4S640832K-TC750 数据手册

K4S640832K

K4S641632K

Synchronous DRAM

64Mb K-die SDRAM Specification

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Rev. 1.1 February 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S640832K-TL750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S640832K-TL75T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54
K4S640832K-TUC/L75	SAMSUNG	获取价格	64Mb K-die SDRAM
K4S640832K-UC75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54
K4S640832K-UC750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPL
K4S640832K-UC75T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPL
K4S640832K-UL750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPL
K4S640832N	SAMSUNG	获取价格	SDRAM Product Guide
K4S640832N-LC75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54
K4S640832N-LC750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM, HALOGEN FREE AND

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