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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP, TSOP54,.46,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.5 |
| 最长访问时间： | 7 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.165 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S641622A-TL10M0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S641622A-TL10R0 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| K4S641622A-TL10T0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PDSO54 |
|
| K4S641622A-TL80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S641632C | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| K4S641632C-TC/L10 | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| K4S641632C-TC/L1H | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| K4S641632C-TC/L1L | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| K4S641632C-TC/L60 | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
|
| K4S641632C-TC/L70 | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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