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K4S640832D-TL1H

更新时间： 2024-11-05 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	128K
描述
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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K4S640832D-TL1H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.91	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4S640832D-TL1H 数据手册

K4S640832D

CMOS SDRAM

64Mbit SDRAM

2M x 8Bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

LVTTL

Revision 0.0

June 1999

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 0.0 May 1999

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S640832D-TL1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S640832D-TL75T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54
K4S640832E	SAMSUNG	获取价格	64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
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K4S640832E-TC1H0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54
K4S640832E-TC1HT	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
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