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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TSOP, TSOP54,.46,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.135 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S640832E | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S640832E-TC1H | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S640832E-TC1H0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S640832E-TC1HT | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| K4S640832E-TC1L | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S640832E-TC1L0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S640832E-TC1LT | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S640832E-TC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S640832E-TC750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S640832E-TC75T | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
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