5秒后页面跳转
K4S640832D-TC75T PDF预览

K4S640832D-TC75T

更新时间: 2024-11-05 15:36:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 128K
描述
Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

K4S640832D-TC75T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, TSOP54,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.3访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G54
JESD-609代码:e0内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:TSOP54,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.135 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

K4S640832D-TC75T 数据手册

 浏览型号K4S640832D-TC75T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4S640832D-TC75T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4S640832D-TC75T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4S640832D-TC75T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4S640832D-TC75T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4S640832D-TC75T的Datasheet PDF文件第7页 
K4S640832D  
CMOS SDRAM  
64Mbit SDRAM  
2M x 8Bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
LVTTL  
Revision 0.0  
June 1999  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev. 0.0 May 1999  

与K4S640832D-TC75T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4S640832D-TC80T SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54
K4S640832D-TL10 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 8MX8, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S640832D-TL1H SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S640832D-TL1L SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S640832D-TL75T SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54
K4S640832E SAMSUNG

获取价格

64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S640832E-TC1H SAMSUNG

获取价格

64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S640832E-TC1H0 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54
K4S640832E-TC1HT SAMSUNG

获取价格

暂无描述
K4S640832E-TC1L SAMSUNG

获取价格

64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL