是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, TSOP54,.46,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.3 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 5.4 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 54 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | TSOP54,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.135 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4S640832D-TC80T | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 | |
K4S640832D-TL10 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX8, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 | |
K4S640832D-TL1H | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 | |
K4S640832D-TL1L | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 | |
K4S640832D-TL75T | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54 | |
K4S640832E | SAMSUNG |
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64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
K4S640832E-TC1H | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
K4S640832E-TC1H0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 | |
K4S640832E-TC1HT | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
K4S640832E-TC1L | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |