是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSOP, TSOP54,.46,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 5.4 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 4 | 湿度敏感等级: | 3 |
端子数量: | 54 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP | 封装等效代码: | TSOP54,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.135 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4S640432H-UC750 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 16MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, TSOP2-54 | |
K4S640432H-UL75 | SAMSUNG |
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64Mb H-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) | |
K4S640832C | SAMSUNG |
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64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
K4S640832C-TC/L10 | SAMSUNG |
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64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
K4S640832C-TC/L1H | SAMSUNG |
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64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
K4S640832C-TC/L1L | SAMSUNG |
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64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
K4S640832C-TC/L70 | SAMSUNG |
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64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
K4S640832C-TC/L80 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
K4S640832C-TC10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 | |
K4S640832C-TC10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, 7ns, CMOS, PDSO54 |