是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 0.75 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 | JESD-609代码: | e6 |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
端子数量: | 66 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP66,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
连续突发长度: | 2,4,8 | 最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.345 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Bismuth (Sn97Bi3) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.635 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4H511638C-UCB0T | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
K4H511638C-UCB3 | SAMSUNG |
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512Mb C-die DDR SDRAM Specification | |
K4H511638C-UCB3T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 | |
K4H511638C-UCCC | SAMSUNG |
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512Mb C-die DDR SDRAM Specification | |
K4H511638C-UCCCT | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 | |
K4H511638C-UIB0T | SAMSUNG |
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Cache DRAM Module, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66 | |
K4H511638C-ULA2 | SAMSUNG |
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512Mb C-die DDR SDRAM Specification | |
K4H511638C-ULA2T | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
K4H511638C-ULB0 | SAMSUNG |
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512Mb C-die DDR SDRAM Specification | |
K4H511638C-ULB3 | SAMSUNG |
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512Mb C-die DDR SDRAM Specification |