Datasheet > K4H511638C-ZPB0T

K4H511638C-ZPB0T

更新时间： 2024-11-15 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	415K
描述
Cache DRAM Module, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4H511638C-ZPB0T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA60,9X12,40/32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.56
最长访问时间：	0.75 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e3
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	60	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.345 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H511638C-ZPB0T 数据手册

K4H510838C

K4H511638C

Industrial DDR SDRAM

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

with Pb-Free

(RoHS compliant)

Industrial Temp. -40 to 85°C

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.6 January 2006

12 3 4 5 6 7...24

中文翻译

下载PDF

与K4H511638C-ZPB0T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H511638C-ZPB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H511638D	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H511638D-KLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-
K4H511638D-LA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H511638D-LB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H511638D-LB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H511638D-LCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H511638D-TCA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H511638D-TCA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H511638D-TCB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM

与K4H511638C-ZPB0T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

7
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

4
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

30
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H511638C-ZPB0T

K4H511638C-ZPB0T 技术参数

K4H511638C-ZPB0T 数据手册

与K4H511638C-ZPB0T相关器件

与K4H511638C-ZPB0T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H511638C-ZPB0T

K4H511638C-ZPB0T 技术参数

K4H511638C-ZPB0T 数据手册

与K4H511638C-ZPB0T相关器件

与K4H511638C-ZPB0T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？