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K4H511638C-ZPB30

更新时间： 2024-11-15 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	415K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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K4H511638C-ZPB30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X12,40/32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.48	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	12 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.38 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

K4H511638C-ZPB30 数据手册

K4H510838C

K4H511638C

Industrial DDR SDRAM

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

with Pb-Free

(RoHS compliant)

Industrial Temp. -40 to 85°C

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Rev. 1.6 January 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H511638D	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H511638D-KLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-
K4H511638D-LA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H511638D-LB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H511638D-LB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H511638D-LCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
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