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K4H511638C-UPB00

更新时间： 2024-11-15 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	415K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

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K4H511638C-UPB00 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.82	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.345 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4H511638C-UPB00 数据手册

K4H510838C

K4H511638C

Industrial DDR SDRAM

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

with Pb-Free

(RoHS compliant)

Industrial Temp. -40 to 85°C

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Rev. 1.6 January 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H511638C-UPB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H511638C-Z	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H511638C-ZCB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H511638C-ZCB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H511638C-ZCB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H511638C-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H511638C-ZCCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60
K4H511638C-ZIB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H511638C-ZIB0T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60
K4H511638C-ZIB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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