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K4H511638C-UCCCT

更新时间： 2024-11-15 13:09:03

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
24页	366K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

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K4H511638C-UCCCT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.65 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.6 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4H511638C-UCCCT 数据手册

DDR SDRAM 512Mb C-die (x4, x8, x16)

DDR SDRAM

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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Rev. 1.1 June. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4H511638C-ULA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H511638C-ULA2T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4H511638C-ULB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H511638C-ULB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H511638C-ULCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H511638C-UPB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H511638C-UPB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H511638C-Z	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
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