是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSSOP66,.46 |
针数: | 66 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.8 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSSOP66,.46 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 2,4,8 |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4H510838M-TCA00 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | |
K4H510838M-TCA2 | SAMSUNG |
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128Mb DDR SDRAM | |
K4H510838M-TCA20 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | |
K4H510838M-TCB0 | SAMSUNG |
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128Mb DDR SDRAM | |
K4H510838M-TLA0 | SAMSUNG |
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128Mb DDR SDRAM | |
K4H510838M-TLA00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | |
K4H510838M-TLA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM | |
K4H510838M-TLB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM | |
K4H510838M-TLB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | |
K4H511638 | SAMSUNG |
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512Mb C-die DDR SDRAM Specification |