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K4H510838M-TCA2

更新时间: 2024-11-14 22:57:27
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三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
53页 669K
描述
128Mb DDR SDRAM

K4H510838M-TCA2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.91访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G66
JESD-609代码:e0长度:22.22 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:66
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.006 A
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

K4H510838M-TCA2 数据手册

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128Mb DDR SDRAM  
DDR SDRAM Specification  
Version 1.0  
- 1 -  
REV. 1.0 November. 2. 2000  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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512Mb C-die DDR SDRAM Specification
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