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K4H511638B-GLB0

更新时间： 2024-11-15 14:42:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	392K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60

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K4H511638B-GLB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	BGA, BGA60,9X12,40/32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e0	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	60	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.36 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K4H511638B-GLB0 数据手册

DDR SDRAM 512Mb B-die (x4, x8, x16)

DDR SDRAM

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

60 FBGA

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

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Rev. 1.3 June. 2005

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H511638B-GLB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4H511638B-GLCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60
K4H511638B-GLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4H511638B-TC/LA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H511638B-TC/LB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H511638B-TC/LB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H511638B-TC/LCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H511638B-TCA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H511638B-TCA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H511638B-TCB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM

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