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K4H511638B-TLB00

更新时间： 2024-11-15 19:49:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	367K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

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K4H511638B-TLB00 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.88	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4H511638B-TLB00 数据手册

DDR SDRAM 512Mb B-die (x4, x8, x16)

DDR SDRAM

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 June. 2005

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K4H511638B-TLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H511638B-UC/LA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H511638B-UC/LB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H511638B-UC/LB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H511638B-UC/LCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H511638B-UCA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP
K4H511638B-UCB0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H511638B-UCB0T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H511638B-UCB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

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