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K4H511638B-GLA20

更新时间： 2024-11-15 14:42:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	392K
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DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

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K4H511638B-GLA20 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TBGA,
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.34	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e0
长度：	12 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

K4H511638B-GLA20 数据手册

DDR SDRAM 512Mb B-die (x4, x8, x16)

DDR SDRAM

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

60 FBGA

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 June. 2005

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K4H511638B-GLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
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