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K4H510838C-UCB0

更新时间： 2024-11-13 22:57:27

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
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512Mb C-die DDR SDRAM Specification

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K4H510838C-UCB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
端子数量：	66	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H510838C-UCB0 数据手册

DDR SDRAM 512Mb C-die (x4, x8, x16)

DDR SDRAM

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 1.1 June. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H510838C-UCB0T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H510838C-UCB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H510838C-UCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H510838C-UIB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H510838C-UIB0T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H510838C-UIB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T
K4H510838C-ULA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H510838C-ULB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
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