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K4H510838C-ZCB30

更新时间： 2024-11-14 14:42:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	393K
描述
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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K4H510838C-ZCB30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X12,40/32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	12 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

K4H510838C-ZCB30 数据手册

K4H510438C

K4H510838C

K4H511638C

DDR SDRAM

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

60 FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

3. Any system or application incorporating Samsung Memory Product(s) shall be designed to use or access the

memory addresses in a balanced and proportionate manner. Disproportionate, excessive and/or repeated

access to a particular address may result in reduction of product life.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 January 2006

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H510838C-ZCB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H510838C-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H510838C-ZCCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60
K4H510838C-ZIB0T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PBGA60
K4H510838C-ZLB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H510838C-ZLB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H510838C-ZLCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H510838C-ZLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H510838C-ZLCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60
K4H510838C-ZPB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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