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K4H510838C-ZLB3

更新时间： 2024-11-13 22:07:03

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
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512Mb C-die DDR SDRAM Specification

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K4H510838C-ZLB3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA60,9X12,40/32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.35
最长访问时间：	0.7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e3
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.36 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H510838C-ZLB3 数据手册

DDR SDRAM 512Mb C-die (x4, x8, x16)

DDR SDRAM

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

60 FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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Rev. 1.1 June. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4H510838C-ZLCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H510838C-ZLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H510838C-ZLCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60
K4H510838C-ZPB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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K4H510838D	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification
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K4H510838D-KLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-
K4H510838D-LA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

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