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K4H510838D-KCB3

更新时间： 2024-11-14 20:05:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	90K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-66

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K4H510838D-KCB3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.28	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4H510838D-KCB3 数据手册

512Mb(x16, DDP)

DDR SDRAM

DDP 512Mbit SDRAM

32M x 16bit x 4 Banks

DDR SDRAM Specification

Revision 0.0

Apr. 2002

This is to advise Samsung customers that, until August 1, 2003, in accordance with certain terms of an agreement, Samsung is prohibited

from selling any DRAM products configured in "Multi-Die Plastic" format for use as components in general and scientific computers, such as

mainframes, servers, work stations or desk top personal computers (hereinafter "Prohibited Computer Use"). Applications such as mobile,

including cell phones, telecom, including televisions and display monitors, or non-desktop computer systems, including laptops, notebook

computers, are, however, permissible. "Multi-Die Plastic" is defined as two or more Dram die encapsulated within a single plastic leaded

package

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev 0.0 Apr. 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H510838D-KLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-
K4H510838D-LA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H510838D-LB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H510838D-LB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
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