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K4H510838D-UCCC

更新时间： 2024-11-14 12:59:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
24页	392K
描述
DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66,

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K4H510838D-UCCC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	最长访问时间：	0.65 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e6	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	端子数量：	66
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.385 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn97Bi3)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4H510838D-UCCC 数据手册

DDR SDRAM 512Mb B-die (x4, x8, x16)

DDR SDRAM

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

60 FBGA

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 June. 2005

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H510838D-UCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4H510838D-UCCCT	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66
K4H510838D-UIB0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H510838D-UIB0T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H510838D-UIB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66
K4H510838D-UIB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T
K4H510838D-UIB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66
K4H510838D-ULA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4H510838D-ULB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4H510838D-ULB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66

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