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K4H510838C-ZLCCT

更新时间： 2024-11-14 13:00:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
24页	392K
描述
DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60

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K4H510838C-ZLCCT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA60,9X12,40/32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.65 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e3	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.6 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.385 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4H510838C-ZLCCT 数据手册

DDR SDRAM 512Mb B-die (x4, x8, x16)

DDR SDRAM

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

60 FBGA

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Rev. 1.3 June. 2005

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H510838C-ZPB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H510838C-ZPB3T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H510838D	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification
K4H510838D-KCB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-
K4H510838D-KLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-
K4H510838D-LA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H510838D-LB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H510838D-LB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H510838D-LCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H510838D-TCA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM

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