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K4H510838C-UCA2

更新时间： 2024-11-13 22:48:59

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
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512Mb C-die DDR SDRAM Specification

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K4H510838C-UCA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.75 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	端子数量：	66
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

K4H510838C-UCA2 数据手册

DDR SDRAM 512Mb C-die (x4, x8, x16)

DDR SDRAM

512Mb C-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 June. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4H510838C-UCB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H510838C-UCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H510838C-UIB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H510838C-UIB0T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H510838C-UIB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T
K4H510838C-ULA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H510838C-ULB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR SDRAM Specification
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