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K4H280838D-TLA0T

更新时间： 2024-11-20 13:09:03

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K4H280838D-TLA0T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.8 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e0	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
端子数量：	66	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.0025 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.24 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

128Mb DDR SDRAM

DDR SDRAM Specification

Version 1.0

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REV. 1.0 November. 2. 2000

12 3 4 5 6 7...53

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H280838D-TLA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H280838D-TLA2T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H280838D-TLB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H280838D-TLB0T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4H280838D-TLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H280838E-TCA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H280838E-TCA00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX8, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H280838E-TCA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H280838E-TCB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H280838E-TLA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM