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K4H280838C-TLA00

更新时间： 2024-11-20 13:59:31

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K4H280838C-TLA00 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	0.8 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	端子数量：	66
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.0035 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

128Mb C-die(x4/8) DDR SDRAM

DDR SDRAM Specification

Version 0.9

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REV. 0.9 Jan.25. 2002

12 3 4 5 6 7...54

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H280838C-TLA0T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX8, 0.8ns, CMOS, PDSO66
K4H280838C-TLA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H280838C-TLA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H280838C-TLB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H280838C-TLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H280838C-TLB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66
K4H280838D-TCA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H280838D-TCA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H280838D-TCA2T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H280838D-TCB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM