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K4H280838C-TLB3T

更新时间: 2024-11-21 05:19:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
54页 329K
描述
DDR DRAM, 16MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66

K4H280838C-TLB3T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK):166 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G66
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
端子数量:66字数:16777216 words
字数代码:16000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.004 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.4 mA标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm端子位置:DUAL

K4H280838C-TLB3T 数据手册

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128Mb C-die(x4/8) DDR SDRAM  
DDR SDRAM Specification  
Version 0.9  
- 1 -  
REV. 0.9 Jan.25. 2002  

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