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K4E171613C-TL70

更新时间： 2024-11-06 15:35:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
35页	635K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

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K4E171613C-TL70 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	50
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	20.95 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4E171613C-TL70 数据手册

K4E171613(4)C

CMOS DRAM

Low Power 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with EDO

DESCRIPTION

This is a family of 1,048,576 x 16 bit Extended Data Out CMOS DRAMs with low operating & self refresh voltage. Extended Data Out

Mode offers high speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+3.0V/

+2.5V), access time (-60/-70), power consumption and package type(TSOP-Il) are optional features of this family. All of this family have

CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-ver.

This 1Mx16 EDO Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power

consumption and high reliability. It may be used as buffer memory or main memory unit for mobile system.

FEATURES

• Extended Data Out Mode operation

(Fast Page Mode with Extended Data Out)

• 2 CAS Byte/Word Read/Write operation

• CAS-before-RAS refresh capability

• Part Identification

Operating

Voltage

Self-Refresh

Voltage(min)

Part No.

• RAS-only and Hidden refresh capability

• Self-refresh capability

K4E171613C-TL

K4E171613C-TN*

K4E171614C-TL

K4E171614C-TN*

3.0V

2.5V

2.3V

• Self-refresh bump capability(3.0V product)

• LVTTL(3.0V/2.5V) compatible inputs and ouputs

• Early Write or output enable controlled write

• Available in plastic TSOP(ll) packages

• Single 3.0V+0.6V/-0.3V power supply (3.0V product)

• Single 2.5V±0.2V power supply (2.5V product)

* Extended temperature : -25°C to 85°C

• Active Power Dissipation

Unit : mW

Operation Voltage

Part No.

Speed

3.0V

324

2.5V

216

189

K4E171613C-TL(N)

K4E171614C-TL(N)

-60

-70

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

RAS

UCAS

LCAS

• Refresh Cycles

Part No.

Vcc

Vss

Control

Clocks

Refresh period

4K/128ms

VBB Generator

K4E171613C-TL(N)

K4E171614C-TL(N)

Lower

Data in

Buffer

DQ0

Row Decoder

Refresh Timer

Refresh Control

DQ7

Lower

Data out

Buffer

• Performance Range

Memory Array

1,048,576 x16

Cells

Speed

Part No.

tRAC tCAC

tRC

tHPC

Refresh Counter

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

Upper

Data in

Buffer

K4E171613C-TL(N)

K4E171614C-TL(N)

-60 60ns 17ns 104ns 25ns

-70 70ns 20ns 124ns 30ns

DQ8

DQ15

A0-A11

A0 - A7

Upper

Data out

Buffer

K4E171614C-TL(N)

Column Decoder

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to

change products and specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...35

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K4E640411B-TC60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
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