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K4E171613C-TN60 PDF预览

K4E171613C-TN60

更新时间： 2024-11-06 14:51:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 635K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

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K4E171613C-TN60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数：50Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：20.95 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44/50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.00015 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

K4E171613C-TN60 数据手册

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K4E171613(4)C  
CMOS DRAM  
Low Power 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with EDO  
DESCRIPTION  
This is a family of 1,048,576 x 16 bit Extended Data Out CMOS DRAMs with low operating & self refresh voltage. Extended Data Out  
Mode offers high speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+3.0V/  
+2.5V), access time (-60/-70), power consumption and package type(TSOP-Il) are optional features of this family. All of this family have  
CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-ver.  
This 1Mx16 EDO Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power  
consumption and high reliability. It may be used as buffer memory or main memory unit for mobile system.  
FEATURES  
• Extended Data Out Mode operation  
(Fast Page Mode with Extended Data Out)  
• 2 CAS Byte/Word Read/Write operation  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• Part Identification  
Operating  
Voltage  
Self-Refresh  
Voltage(min)  
Part No.  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability  
K4E171613C-TL  
K4E171613C-TN*  
K4E171614C-TL  
K4E171614C-TN*  
3.0V  
2.5V  
2.5V  
2.3V  
• Self-refresh bump capability(3.0V product)  
• LVTTL(3.0V/2.5V) compatible inputs and ouputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• Available in plastic TSOP(ll) packages  
• Single 3.0V+0.6V/-0.3V power supply (3.0V product)  
• Single 2.5V±0.2V power supply (2.5V product)  
* Extended temperature : -25°C to 85°C  
• Active Power Dissipation  
Unit : mW  
Operation Voltage  
Part No.  
Speed  
3.0V  
324  
-
2.5V  
216  
189  
K4E171613C-TL(N)  
K4E171614C-TL(N)  
-60  
-70  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
RAS  
UCAS  
LCAS  
W
• Refresh Cycles  
Part No.  
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
Refresh period  
4K/128ms  
VBB Generator  
K4E171613C-TL(N)  
K4E171614C-TL(N)  
Lower  
Data in  
Buffer  
DQ0  
to  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
DQ7  
Lower  
Data out  
Buffer  
• Performance Range  
Memory Array  
1,048,576 x16  
Cells  
Speed  
Part No.  
tRAC tCAC  
tRC  
tHPC  
OE  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Upper  
Data in  
Buffer  
K4E171613C-TL(N)  
K4E171614C-TL(N)  
-60 60ns 17ns 104ns 25ns  
-70 70ns 20ns 124ns 30ns  
DQ8  
to  
DQ15  
A0-A11  
A0 - A7  
Upper  
Data out  
Buffer  
K4E171614C-TL(N)  
Column Decoder  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...35

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4E171613C-TN70 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
K4E171614C-TL60 SAMSUNG

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