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K3P7U1000B-GC12 PDF预览

K3P7U1000B-GC12

更新时间： 2024-09-26 19:59:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44

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K3P7U1000B-GC12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP44,.63
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92最长访问时间：120 ns
其他特性：ALSO CONFIGURABLE AS 4M X 16备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：28.5 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
负电源额定电压：功能数量：1
端子数量：44字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP44,.63
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.1 mm最大待机电流：0.00005 A
子类别：MASK ROMs最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：12.6 mm
Base Number Matches：1

K3P7U1000B-GC12 数据手册

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K3P7V(U)1000B-GC  
CMOS MASK ROM  
64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
· Switchable organization  
8,388,608 x 8(byte mode)  
4,194,304 x 16(word mode)  
· Fast access time  
Random Access Time/Page Access Time  
3.3V Operation : 100/30ns(Max.)@CL=50pF,  
120/40ns(Max.)@CL=100pF  
3.0V Operation : 120/40ns(Max.)@CL=100pF  
8 Words / 16 Bytes page access  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
GENERAL DESCRIPTION  
The K3P7V(U)1000B-GC is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 8,388,608 x 8 bit(byte mode) or as  
4,194,304 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
This device includes page read mode function, page read mode  
allows 8 words (or 16 bytes) of data to read fast in the same  
page, CE and A3 ~ A21 should not be changed.  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Operating : 60mA(Max.)  
Standby : 50mA(Max.)  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
The K3P7V(U)1000B-GC is packaged in a 44-SOP.  
· Package  
K3P7V(U)1000B-GC : 44-SOP-600  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A21  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
(4,194,304x16/  
8,388,608x8)  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
A20  
.
.
.
.
.
.
.
.
1
2
44  
43  
42  
41  
A21  
A18  
A19  
A8  
A17  
A7  
3
4
A9  
A6  
A5  
A4  
A3  
40 A10  
5
A11  
39  
SENSE AMP.  
6
Y
A12  
7
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
DATA OUT  
BUFFERS  
8
A13  
A14  
A15  
A2  
A1  
9
A3  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
A0~A2  
A-1  
A0  
A16  
BHE  
VSS  
CE  
VSS  
OE  
Q0  
.
.
.
SOP  
Q15/A-1  
Q7  
CE  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
OE  
Q8  
29 Q14  
28 Q6  
Q1  
BHE  
Q9  
Q13  
Q5  
27  
26  
25  
24  
23  
Q2 19  
Q10 20  
Q12  
Q4  
Pin Name  
A0 - A2  
Pin Function  
Page Address Inputs  
Q3  
21  
22  
Q11  
VCC  
A3 - A21  
Q0 - Q14  
Address Inputs  
Data Outputs  
K3P7V(U)1000B-GC  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
OE  
VCC  
VSS  
Ground  
1234

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与K3P7U1000B-GC12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3P7U1000B-TC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3P7U1000B-YC12 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3P7U1000B-YC120 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3P7V1000 SAMSUNG

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 		64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM
K3P7V1000A-GC10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
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 		MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
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