Datasheet > 存储 > MASK ROM> K3S7V2000M-TC15

K3S7V2000M-TC15

更新时间： 2024-01-25 13:01:38

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管有原始数据的样本ROM
页数	文件大小	规格书
27页	1079K
描述
64M-Bit (4Mx16 /2Mx32) Synchronous MASKROM

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K3S7V2000M-TC15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数：	86	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	6 ns	备用内存宽度：	16
JESD-30 代码：	R-PDSO-G86	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	86
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP86,.46,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00015 A	子类别：	MASK ROMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K3S7V2000M-TC15 数据手册

K3S7V2000M-TC

Synch. MROM

64M-Bit (4Mx16 /2Mx32) Synchronous MASKROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· JEDEC standard 3.3V power supply

· LVTTL compatible with multiplexed address

· Address: Row address: RA0 ~ RA12

Column address: CA0 ~ CA7 (x32): CA0 ~ CA8 (x16)

· Switchable organization

The K3S7V2000M-TC is a synchronous high bandwidth mask

programmable ROM fabricated with SAMSUNG¢s high perfor-

mance CMOS process technology and is organized either as

4,194,304 x16bit(word mode) or as 2,097,152 x32bit(double

word mode) depending on polarity of WORD pin.(see pin func-

tion description). Synchronous design allows precise cycle con-

trol, with the use of system clock, I/O transactions are possible

on every clock cycle. Range of operating frequencies, program-

mable burst length and programmable latencies allow the same

device to be useful for a variety of high bandwidth, high perfor-

mance memory system applications.

4,194,304 x 16(word mode) /

2,097,152 x 32(double word mode)

· All inputs are sampled at the rising edge of the system clock

· Read Performance at memory point of view

@33MHz 4-1-1-1 (RAS Latency=1, CAS Latency=3)

@50MHz 5-1-1-1 (RAS Latency=1, CAS Latency=4)

@66MHz 5-1-1-1 (RAS Latency=1, CAS Latency=4)

@83MHz 7-1-1-1 (RAS Latency=2, CAS Latency=5)

@100MHz 7-1-1-1 (RAS Latency=2, CAS Latency=5)

· tSAC : 6ns

ORDERING INFORMATION

· Default mode by user requirement

· MRS cycle with address key programs

-. RAS Latency(1 & 2)

Part NO.

MAX Freq.

100MHz

83MHz

Interface

Package

K3S7V2000M-TC10

K3S7V2000M-TC12

K3S7V2000M-TC15

K3S7V2000M-TC20

K3S7V2000M-TC30

-. CAS Latency(3 ~ 6)

-. Burst Length : 4, 8

-. Burst Type : Sequential & Interleaved

LVTTL

86TSOP2

66MHz

· DQM for data-out masking

· Package :86TSOP2 - 400

50MHz

33MHz

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Q16

Q15

Q31

Output

Buffer

4M x 16 /2M x 32

Cell Array

CLK

ADD

Column Decoder

Latency & Burst Length

Programming Register

LCKE

LRAS

CKE

LMR

LCAS

Timing Register

RAS

CLK

CAS

DQM

* Samsung Electronics reserves the right to

change products or specification without notice.

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